Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited gab am 6. Juli den Beginn der Massenproduktion des 4Mbit FRAM MB85RS4MTY bekannt, der einen Betrieb bis 125 Grad Celsius garantiert. 

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html 

Fig.1: https://kyodone ...

08.07.2021

Fujitsu beginnt Massenproduktion von 4Mbit FRAM mit 125 Grad Celsius Betrieb gemäß Automotive Grade

Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited gab am 6. Juli den Beginn der Massenproduktion des 4Mbit FRAM MB85RS4MTY bekannt, der einen Betrieb bis 125 Grad Celsius garantiert.

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html

Fig.1: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI1fl_h51FrvTZ.jpg

FRAM ist ein nichtfl

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/

Seit dem Start der Massenproduktion von FRAM-Produkten, die bis zu 125 Grad Celsius betrieben werden k

Fig.2: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI2fl_t1X1L7Vu.jpg

Der MB85RS4MTY erf"Automotive Grade", und eignet sich daher f

Fig.3: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI3fl_47S76y5J.jpg

Dieses FRAM mit SPI-Schnittstelle arbeitet mit einer breiten Versorgungsspannung von 1,8V bis 3,6V. Im Temperaturbereich von -40 bis +125 Grad C garantiert er 10 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten und einen geringen Betriebsstrom wie z.B. einen maximalen Schreibstrom von 4mA (betrieben bei 50MHz). Er ist in einem 8-poligen DFN-Geh

Die FRAM-Produkte k

Fig.4: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI4fl_m3l65auC.jpg

Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited entwickelt weiterhin Speicherprodukte, um die Bed

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